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IPB05N03LA G概述

MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

表面贴装型 N 通道 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2

得捷:
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

IPB05N03LA G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 80.0 A

耗散功率 94W Tc

输入电容 3.11 nF

栅电荷 25.0 nC

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

输入电容Ciss 3110pF @15VVds

耗散功率Max 94W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB05N03LA G

型号： IPB05N03LA G

制造商： Infineon 英飞凌

描述：MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

替代型号IPB05N03LA G

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IPB05N03LA G

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IPB055N03LGATMA1

英飞凌

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