IPD04N03LA G参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IPD04N03LA G概述

MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

表面贴装型 N 通道 25 V 50A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3

得捷:
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3

Win Source:
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

IPD04N03LA G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 50.0 A

耗散功率 115W Tc

漏源极电压Vds 25 V

输入电容Ciss 5199pF @15VVds

额定功率Max 115 W

耗散功率Max 115W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD04N03LA G

型号： IPD04N03LA G

制造商： Infineon 英飞凌

描述：MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

替代型号IPD04N03LA G

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IPD04N03LA G

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IPD040N03LGATMA1

英飞凌

功能相似

IPD04N03LA G和IPD040N03LGATMA1的区别