IRF634参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRF634概述

N沟道250V - 0.38ohm - 8A TO- 220 / TO- 220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET

N-Channel 250 V 8A Tc 80W Tc Through Hole TO-220

得捷:
MOSFET N-CH 250V 8A TO220AB

IRF634中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 250 V

额定电流 8.00 A

漏源极电阻 450 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 80W Tc

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

输入电容Ciss 770pF @25VVds

耗散功率Max 80W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRF634

型号： IRF634

描述：N沟道250V - 0.38ohm - 8A TO- 220 / TO- 220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET

替代型号IRF634

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRF634 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号

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IRF634

ST Microelectronics 意法半导体

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