IRF8327STR1PBF概述
Direct-FET N-CH 30V 14A
表面贴装型 N 通道 30 V 14A（Ta），60A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET™ SQ
得捷:
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
IRF8327STR1PBF中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.2W Ta, 42W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 14A
上升时间 8.9 ns
输入电容Ciss 1430pF @15VVds
下降时间 5.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.2W Ta, 42W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 Direct-FET
外形尺寸
封装 Direct-FET
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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替代型号IRF8327STR1PBF
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