IPB04N03LB G参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IPB04N03LB G概述

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

表面贴装型 N 通道 80A（Tc） 107W（Tc） D²PAK（TO-263AB）

得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

IPB04N03LB G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 80.0 A

耗散功率 107W Tc

输入电容 3.88 nF

栅电荷 32.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

输入电容Ciss 5203pF @15VVds

耗散功率Max 107W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB04N03LB G

型号： IPB04N03LB G

制造商： Infineon 英飞凌

描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

替代型号IPB04N03LB G

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IPB04N03LB G

Infineon 英飞凌

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