Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRF3610STRLPBF, 103 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
HEXFET 系列 N沟道 MOSFET , 103 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
得捷:
MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 103A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 333W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 103A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
极性 N-CH
耗散功率 333 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 103A
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 5380pF @25VVds
下降时间 43 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 333W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF3610STRLPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |