IPB05N03LB参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IPB05N03LB概述

OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor

表面贴装型 N 通道 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2

得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

IPB05N03LB中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 80.0 A

极性 N-CH

耗散功率 94W Tc

输入电容 3.21 nF

栅电荷 25.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

输入电容Ciss 3209pF @15VVds

耗散功率Max 94W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IPB05N03LB

型号： IPB05N03LB

制造商： Infineon 英飞凌

描述：OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor

替代型号IPB05N03LB

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IPB05N03LB Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IPB034N03LG 英飞凌	类似代替	IPB05N03LB和IPB034N03LG的区别
IPB034N03LGATMA1 英飞凌	功能相似	IPB05N03LB和IPB034N03LGATMA1的区别
STD100N3LF3 意法半导体	功能相似	IPB05N03LB和STD100N3LF3的区别