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IPD09N03LB G概述

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3Pin2+Tab DPAK

表面贴装型 N 通道 30 V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3

得捷:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

IPD09N03LB G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 50.0 A

耗散功率 58W Tc

输入电容 1.60 nF

栅电荷 13.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

输入电容Ciss 1600pF @15VVds

耗散功率Max 58W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD09N03LB G

型号： IPD09N03LB G

制造商： Infineon 英飞凌

描述：Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3Pin2+Tab DPAK

替代型号IPD09N03LB G

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IPD09N03LB G

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IPD090N03LGATMA1

英飞凌

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