Direct-FET N-CH 25V 35A
N-Channel 25V 35A Ta, 213A Tc 2.1W Ta, 78W Tc Surface Mount DIRECTFET™ MX
得捷:
MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
贸泽:
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.1mOhms 35nC
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 35A 7-Pin Direct-FET MX T/R
极性 N-CH
耗散功率 78 W
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 35A
上升时间 46 ns
输入电容Ciss 5435pF @13VVds
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.1W Ta, 78W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 Direct-FET
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
高度 0.7 mm
封装 Direct-FET
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF6898MTR1PBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF6898MTRPBF 英飞凌 | 功能相似 | IRF6898MTR1PBF和IRF6898MTRPBF的区别 |