OptiMOS㈢ -T电源晶体管 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
N-Channel 55V 25A Tc 48W Tc Through Hole PG-TO262-3
得捷:
MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 25A Automotive 3-Pin3+Tab TO-262
额定电压DC 55.0 V
额定电流 25.0 A
极性 N-CH
耗散功率 48W Tc
输入电容 1.86 nF
栅电荷 41.0 nC
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 25.0 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 1862pF @25VVds
下降时间 27 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 48W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPI25N06S3-25 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPP25N06S3-25 英飞凌 | 类似代替 | IPI25N06S3-25和IPP25N06S3-25的区别 |
IPP260N06N3G 英飞凌 | 功能相似 | IPI25N06S3-25和IPP260N06N3G的区别 |