SOIC N-CH 30V 13A
N-Channel 30V 13A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SO
得捷:
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
贸泽:
MOSFET MOSFT 30V 13A 11mOhm 44nC
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
通道数 1
漏源极电阻 11 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 13A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 1800pF @25VVds
下降时间 46 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF7413GTRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF7413TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | IRF7413GTRPBF和IRF7413TRPBF的区别 |