Direct-FET N-CH 100V 4.2A
N-Channel 100V 4.2A Ta, 19A Tc 2.2W Ta, 42W Tc Surface Mount DIRECTFET™ SH
得捷:
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.2A 6-Pin Direct-FET SH T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 6-Pin Direct-FET SH T/R
漏源极电阻 53.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.2W Ta, 42W Tc
产品系列 IRF6665
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 3.40 A
上升时间 2.8 ns
输入电容Ciss 530pF @25VVds
下降时间 4.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.2W Ta, 42W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 Direct-FET
封装 Direct-FET
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF6665TR1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF6665TRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF6665TR1和IRF6665TRPBF的区别 |
IRF6665 英飞凌 | 功能相似 | IRF6665TR1和IRF6665的区别 |
IRF6665PBF 英飞凌 | 功能相似 | IRF6665TR1和IRF6665PBF的区别 |