D2PAK N-CH 60V 270A
N-Channel 60V 195A Tc 380W Tc Surface Mount D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
贸泽:
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 2.4mOhms 91nC
通道数 1
漏源极电阻 2.4 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 380 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 270A
上升时间 220 ns
输入电容Ciss 11210pF @50VVds
下降时间 110 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 380W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRLS3036TRRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRLS3036TRLPBF 英飞凌 | 功能相似 | IRLS3036TRRPBF和IRLS3036TRLPBF的区别 |