IRF6893MTR1PBF

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IRF6893MTR1PBF概述

Direct-FET N-CH 25V 29A

N-Channel 25V 29A Ta, 168A Tc 2.1W Ta, 69W Tc Surface Mount DIRECTFET™ MX


得捷:
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R


IRF6893MTR1PBF中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.1W Ta, 69W Tc

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 29A

上升时间 83 ns

输入电容Ciss 3480pF @13VVds

下降时间 33 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 2.1W Ta, 69W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 Direct-FET

外形尺寸

封装 Direct-FET

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRF6893MTR1PBF
型号: IRF6893MTR1PBF
描述:Direct-FET N-CH 25V 29A
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Infineon 英飞凌

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IRF6893MTR1PBF和IRF6893MTRPBF的区别

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