TO-220AB N-CH 100V 59A
N-Channel 100V 59A Tc 160W Tc Through Hole TO-220AB
得捷:
MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
贸泽:
MOSFET 100V HALOGEN-FREE 1 N-CH HEXFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin3+Tab TO-220AB
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
极性 N-CH
耗散功率 160 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 59A
上升时间 77 ns
输入电容Ciss 2900pF @25VVds
下降时间 56 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 160W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free