IPD13N03LA G概述
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
表面贴装型 N 通道 25 V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 25V 30A DPAK-2
Win Source:
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
IPD13N03LA G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 30.0 A
通道数 1
漏源极电阻 21.9 mΩ
耗散功率 46 W
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
上升时间 4.6 ns
输入电容Ciss 1043pF @15VVds
额定功率Max 46 W
下降时间 2.6 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 46W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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