IPD20N03L G参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IPD20N03L G概述

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3Pin2+Tab DPAK

表面贴装型 N 通道 30 V 30A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3

得捷:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK

IPD20N03L G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 30.0 A

耗散功率 42W Tc

输入电容 700 pF

栅电荷 11.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

输入电容Ciss 695pF @25VVds

额定功率Max 42 W

耗散功率Max 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD20N03L G

型号： IPD20N03L G

制造商： Infineon 英飞凌

描述：Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3Pin2+Tab DPAK