Direct-FET N-CH 30V 28A
表面贴装型 N 通道 30 V 28A（Ta），170A（Tc） 2.8W（Ta），100W（Tc） DIRECTFET™ MX
得捷:
MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
贸泽:
MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
极性 N-CH
耗散功率 100 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 28A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 4700pF @15VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 100W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 Direct-FET
长度 3 mm
宽度 3 mm
高度 1.11 mm
封装 Direct-FET
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF8304MTR1PBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF8304MTRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF8304MTR1PBF和IRF8304MTRPBF的区别 |