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IPF09N03LA概述

OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor

表面贴装型 N 通道 25 V 50A（Tc） 63W（Tc） P-TO252-3

得捷:
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3

Win Source:
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

IPF09N03LA中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 50.0 A

极性 N-CH

耗散功率 63W Tc

输入电容 1.64 nF

栅电荷 13.0 nC

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

输入电容Ciss 1642pF @15VVds

耗散功率Max 63W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： IPF09N03LA

制造商： Infineon 英飞凌

描述：OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor