OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor
N-Channel 30V 50A Tc 58W Tc Surface Mount PG-TO263-3
得捷:
MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
额定电压DC 30.0 V
额定电流 50.0 A
极性 N-CH
耗散功率 58W Tc
输入电容 1.64 nF
栅电荷 13.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
输入电容Ciss 1639pF @15VVds
额定功率Max 58 W
耗散功率Max 58W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-4
封装 TO-263-4
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPB10N03LB Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPB065N03LGATMA1 英飞凌 | 功能相似 | IPB10N03LB和IPB065N03LGATMA1的区别 |
IPB065N03LG 英飞凌 | 功能相似 | IPB10N03LB和IPB065N03LG的区别 |