IPB11N03LA G参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IPB11N03LA G图片1

IPB11N03LA G概述

MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

表面贴装型 N 通道 30A（Tc） 52W（Tc） PG-TO263-3-2

得捷:
MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3

Win Source:
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

IPB11N03LA G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 30.0 A

耗散功率 52W Tc

输入电容 1.36 nF

栅电荷 11.0 nC

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

输入电容Ciss 1358pF @15VVds

耗散功率Max 52W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB11N03LA G

型号： IPB11N03LA G

制造商： Infineon 英飞凌

描述：MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK