IPI03N03LA概述
的OptiMOS 2功率三极管 OptiMOS 2 Power-Transistor
通孔 N 通道 25 V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
得捷:
MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 25V 80A I2PAK-3
IPI03N03LA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 80.0 A
极性 N-CH
耗散功率 150 W
输入电容 7.03 nF
栅电荷 57.0 nC
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 8.5 ns
输入电容Ciss 7027pF @15VVds
下降时间 7.5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IPI03N03LA
替代型号IPI03N03LA
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPI03N03LA Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPP03N03LA 英飞凌 | 功能相似 | IPI03N03LA和IPP03N03LA的区别 |