IPB13N03LB概述
OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor
表面贴装型 N 通道 30 V 30A（Tc） 52W（Tc） PG-TO263-3
得捷:
MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
IPB13N03LB中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 30.0 A
极性 N-CH
耗散功率 52W Tc
输入电容 1.35 nF
栅电荷 11.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
输入电容Ciss 1355pF @15VVds
耗散功率Max 52W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
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替代型号IPB13N03LB
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPB13N03LB Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
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PA02 瑞萨电子 | 功能相似 | IPB13N03LB和PA02的区别 |