IPP050N06N G参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPP050N06N G概述

MOSFET N-CH 60V 100A TO-220

N-Channel 60V 100A Tc 300W Tc Through Hole PG-TO220-3

得捷:
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

IPP050N06N G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 100 A

耗散功率 300W Tc

输入电容 6.10 nF

栅电荷 167 nC

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 100 A

输入电容Ciss 6100pF @30VVds

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IPP050N06N G

描述：MOSFET N-CH 60V 100A TO-220