IPP13N03LB G参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPP13N03LB G概述

MOSFET N-CH 30V 30A TO-220

N-Channel 30V 30A Tc 52W Tc Through Hole PG-TO220-3-1

得捷:
MOSFET N-CH 30V 30A TO220-3

安富利:
MOSFET N-CH 30V 30A TO-220

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 30A TO-220

IPP13N03LB G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 30.0 A

耗散功率 52W Tc

输入电容 1.35 nF

栅电荷 10.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 1355pF @15VVds

下降时间 2.8 ns

耗散功率Max 52W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3-1

外形尺寸

封装 TO-220-3-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IPP13N03LB G

描述：MOSFET N-CH 30V 30A TO-220