的OptiMOS 2功率三极管 OptiMOS 2 Power-Transistor
表面贴装型 N 通道 25 V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
得捷:
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Win Source:
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
额定电压DC 25.0 V
额定电流 80.0 A
极性 N-CH
耗散功率 150W Tc
输入电容 7.03 nF
栅电荷 57.0 nC
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
输入电容Ciss 7027pF @15VVds
额定功率Max 150 W
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPB03N03LA Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPB034N03L G 英飞凌 | 功能相似 | IPB03N03LA和IPB034N03L G的区别 |
IPB03N03LAG 英飞凌 | 功能相似 | IPB03N03LA和IPB03N03LAG的区别 |