OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor
表面贴装型 N 通道 30 V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3
得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
额定电压DC 30.0 V
额定电流 80.0 A
极性 N-CH
耗散功率 107W Tc
输入电容 3.88 nF
栅电荷 32.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
输入电容Ciss 5203pF @15VVds
额定功率Max 107 W
耗散功率Max 107W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPB04N03LB Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPB042N03L G 英飞凌 | 类似代替 | IPB04N03LB和IPB042N03L G的区别 |
IPB034N03LG 英飞凌 | 类似代替 | IPB04N03LB和IPB034N03LG的区别 |
IPB034N03LGATMA1 英飞凌 | 功能相似 | IPB04N03LB和IPB034N03LGATMA1的区别 |