IPB80N06S3-07概述
的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor
表面贴装型 N 通道 80A（Tc） 135W（Tc） PG-TO263-3-2
得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
IPB80N06S3-07中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 55.0 V
额定电流 80.0 A
极性 N-CH
耗散功率 135W Tc
输入电容 7.77 nF
栅电荷 170 nC
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 41 ns
输入电容Ciss 7768pF @25VVds
下降时间 33 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 135W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3-2
外形尺寸
封装 TO-263-3-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IPB80N06S3-07