IPI12CNE8N G

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IPI12CNE8N G概述

MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3

通孔 N 通道 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3


得捷:
MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3


安富利:
MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3


IPI12CNE8N G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 125W Tc

漏源极电压Vds 85 V

上升时间 21 ns

输入电容Ciss 4340pF @40VVds

下降时间 8 ns

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPI12CNE8N G
型号: IPI12CNE8N G
描述:MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3

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