MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3
通孔 N 通道 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3
得捷: MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3
安富利: MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3
耗散功率 125W Tc
漏源极电压Vds 85 V
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 4340pF @40VVds
下降时间 8 ns
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册