IPB26CNE8N G

IPB26CNE8N G图片1
IPB26CNE8N G概述

MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3

表面贴装型 N 通道 35A(Tc) 71W(Tc) D²PAK(TO-263AB)


得捷:
MOSFET N-CH 85V 35A D2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3


IPB26CNE8N G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 71W Tc

漏源极电压Vds 85 V

输入电容Ciss 2070pF @40VVds

耗散功率Max 71W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB26CNE8N G
型号: IPB26CNE8N G
描述:MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台