IPB085N06L G概述
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
表面贴装型 N 通道 60 V 80A（Tc） PG-TO263-3-2
得捷:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
IPB085N06L G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 80.0 A
耗散功率 188W Tc
输入电容 3.50 nF
栅电荷 104 nC
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
输入电容Ciss 3500pF @30VVds
额定功率Max 188 W
耗散功率Max 188W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3-2
外形尺寸
封装 TO-263-3-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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