IPD12CNE8N G参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPD12CNE8N G概述

MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3

N-Channel 85V 67A Tc 125W Tc Surface Mount PG-TO252-3

得捷:
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3

Win Source:
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3

IPD12CNE8N G中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 125W Tc

漏源极电压Vds 85 V

输入电容Ciss 4340pF @40VVds

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD12CNE8N G

型号： IPD12CNE8N G

描述：MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3