IPU050N03L G概述
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
N-Channel 30V 50A Tc 68W Tc Through Hole PG-TO251-3
得捷:
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 30V 50A IPAK-3
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
IPU050N03L G中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 68 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 3200pF @15VVds
下降时间 3.8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 68W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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