IPB110N06L G概述
MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
表面贴装型 N 通道 78A（Tc） PG-TO263-3-2
得捷:
MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 78A D2PAK-2
IPB110N06L G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 78.0 A
耗散功率 158 W
输入电容 2.70 nF
栅电荷 79.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 78.0 A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 2700pF @30VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 158W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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