的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor
N-Channel 55V 100A Tc 214W Tc Through Hole PG-TO220-3-1
得捷:
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 55V 100A TO220-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
额定电压DC 55.0 V
额定电流 100 A
极性 N-CH
耗散功率 214 W
输入电容 26.2 nF
栅电荷 550 nC
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 100 A
上升时间 58 ns
输入电容Ciss 17270pF @25VVds
下降时间 55 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 214W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3-1
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3-1
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPP100N06S3L-04 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPI100N06S3L-04 英飞凌 | 类似代替 | IPP100N06S3L-04和IPI100N06S3L-04的区别 |
2SK3271-01 富士电机 | 功能相似 | IPP100N06S3L-04和2SK3271-01的区别 |