IPI35CN10N G概述
MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3
N-Channel 100V 27A Tc 58W Tc Through Hole PG-TO262-3
得捷:
MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 27A I2PAK-3
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3
IPI35CN10N G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 58 W
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 1570pF @50VVds
额定功率Max 58 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 58W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IPI35CN10N G