IPP80N06S3-07概述
的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor
N-Channel 55V 80A Tc 135W Tc Through Hole PG-TO220-3-1
得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
IPP80N06S3-07中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 55.0 V
额定电流 80.0 A
极性 N-CH
耗散功率 135W Tc
输入电容 7.77 nF
栅电荷 170 nC
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 41 ns
输入电容Ciss 7768pF @25VVds
下降时间 33 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 135W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3-1
外形尺寸
封装 TO-220-3-1
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IPP80N06S3-07