的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor
N-Channel 550V 7.1A Tc 66W Tc Through Hole PG-TO251-3-11
得捷:
MOSFET N-CH 550V 7.1A TO251-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 500V 7.1A IPAK-3 CoolMOS CP
安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 7.1A 3-Pin TO-251 Tube
Win Source:
CoolMOS Power Transistor
通道数 1
极性 N-Channel
耗散功率 66 W
漏源极电压Vds 550 V
连续漏极电流Ids 7.10 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 680pF @100VVds
下降时间 17 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 66W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPS50R520CP Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
STP9NM50N 意法半导体 | 功能相似 | IPS50R520CP和STP9NM50N的区别 |