IPD25CNE8N G

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IPD25CNE8N G概述

MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3

N-Channel 85V 35A Tc 71W Tc Surface Mount PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3


Win Source:
MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3


IPD25CNE8N G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 71W Tc

漏源极电压Vds 85 V

输入电容Ciss 2070pF @40VVds

耗散功率Max 71W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD25CNE8N G
型号: IPD25CNE8N G
描述:MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3

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