IPP80N06S3L-08概述
OptiMOS㈢ -T电源晶体管 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
N-Channel 55V 80A Tc 105W Tc Through Hole PG-TO220-3-1
得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 55V 80A TO220-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB
IPP80N06S3L-08中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 55.0 V
额定电流 80.0 A
通道数 1
漏源极电阻 7.9 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 105 W
输入电容 6.48 nF
栅电荷 134 nC
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 6475pF @25VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 105W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IPP80N06S3L-08