IPI100N06S3-03概述
OptiMOS㈢ -T电源晶体管 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
N-Channel 55V 100A Tc Through Hole PG-TO262-3
得捷:
MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin3+Tab TO-262
IPI100N06S3-03中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 55.0 V
额定电流 100 A
极性 N-CH
耗散功率 300W Tc
输入电容 21.6 nF
栅电荷 480 nC
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 100 A
上升时间 67 ns
输入电容Ciss 21620pF @25VVds
下降时间 60 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IPI100N06S3-03