IPU103N08N3 G参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IPU103N08N3 G概述

Trans MOSFET N-CH 80V 50A 3Pin3+Tab TO-251

通孔 N 通道 80 V 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO251-3

得捷:
MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3

安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 50A 3-Pin3+Tab TO-251

IPU103N08N3 G中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 100W Tc

漏源极电压Vds 80 V

上升时间 21 ns

输入电容Ciss 2410pF @40VVds

下降时间 5 ns

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPU103N08N3 G

型号： IPU103N08N3 G

制造商： Infineon 英飞凌

描述：Trans MOSFET N-CH 80V 50A 3Pin3+Tab TO-251