IPD49CN10N G概述
MOSFET N-Ch 100V 20A DPAK-2
表面贴装型 N 通道 20A（Tc） 44W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 100V 20A TO252-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 20A DPAK-2
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 20A TO252-3
IPD49CN10N G中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 49 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 44 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 1090pF @50VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 44W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IPD49CN10N G