IPB05CN10N G概述
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
表面贴装型 N 通道 100A（Tc） 300W（Tc） D²PAK（TO-263AB）
得捷:
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
IPB05CN10N G中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 5.4 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
上升时间 42 ns
输入电容Ciss 12000pF @50VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 21 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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