MOSFET N-CH 25V 50A TO-263
N-Channel 25V 50A Tc 71W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2
得捷:
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 25V 50A D2PAK-2
额定电压DC 25.0 V
额定电流 50.0 A
通道数 1
漏源极电阻 10.2 Ω
耗散功率 71 W
输入电容 5.20 nF
栅电荷 41.0 nC
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
连续漏极电流Ids 90.0 A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 2390pF @15VVds
下降时间 4.2 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 71W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPBH6N03LA G Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPB065N03L G 英飞凌 | 类似代替 | IPBH6N03LA G和IPB065N03L G的区别 |