的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor
表面贴装型 N 通道 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2
得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 55V 80A D2PAK-2
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
额定电压DC 55.0 V
额定电流 80.0 A
通道数 1
漏源极电阻 5.6 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 136 W
输入电容 9.42 nF
栅电荷 196 nC
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 43 ns
输入电容Ciss 9417pF @25VVds
额定功率Max 136 W
下降时间 39 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 136W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPB80N06S3L-06 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPP11N80C3 英飞凌 | 功能相似 | IPB80N06S3L-06和SPP11N80C3的区别 |
SPA04N80C3 英飞凌 | 功能相似 | IPB80N06S3L-06和SPA04N80C3的区别 |
SPP08N80C3 英飞凌 | 功能相似 | IPB80N06S3L-06和SPP08N80C3的区别 |