IPI11N03LA概述
OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor
N-Channel 25V 30A Tc 52W Tc Through Hole PG-TO262-3
得捷:
MOSFET N-CH 25V 30A TO262-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 25V 30A I2PAK-3
IPI11N03LA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 30.0 A
通道数 1
漏源极电阻 18.5 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 52 W
输入电容 1.36 nF
栅电荷 11.0 nC
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 43 ns
输入电容Ciss 1358pF @15VVds
下降时间 2.8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 52W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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