IPD031N03M G参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IPD031N03M G概述

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3Pin2+Tab TO-252

N-Channel 30V 90A Tc Surface Mount PG-TO252-3

得捷:
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin2+Tab TO-252

IPD031N03M G中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 -

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 5300pF @15VVds

下降时间 5 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD031N03M G

型号： IPD031N03M G

制造商： Infineon 英飞凌

描述：Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3Pin2+Tab TO-252