IPP100P03P3L-04参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPP100P03P3L-04概述

的OptiMOS -P沟道功率三极管 OptiMOS-P Trench Power-Transistor

通孔 P 通道 30 V 100A（Tc） 200W（Tc） PG-TO220-3-1

得捷:
MOSFET P-CH 30V 100A TO220-3

贸泽:
MOSFET P-Ch -30V -100A TO220-3 OptiMOS-P

IPP100P03P3L-04中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 200 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 9300pF @25VVds

下降时间 180 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IPP100P03P3L-04

描述：的OptiMOS -P沟道功率三极管 OptiMOS-P Trench Power-Transistor

替代型号IPP100P03P3L-04