IPB072N15N3GE8187ATMA1

IPB072N15N3GE8187ATMA1图片1
IPB072N15N3GE8187ATMA1概述

MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

表面贴装型 N 通道 150 V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2


得捷:
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3


艾睿:
N-KANAL POWER MOS


Win Source:
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3


IPB072N15N3GE8187ATMA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 300W Tc

漏源极电压Vds 150 V

输入电容Ciss 5470pF @75VVds

额定功率Max 300 W

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB072N15N3GE8187ATMA1
型号: IPB072N15N3GE8187ATMA1
描述:MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台